真贋調査

1. 外観検査

各種光学機器でパッケージや端子を調査します。

• パッケージ外観（汚れ、異物付着、キズ、クラック、樹脂バリなど）
• 端子（変形、キズ、めっきムラなど）
• 捺印表示

2. X線透視検査

X線により電子機器内部の状態を観察します。非破壊の解析手法として広く用いられています。半導体デバイスでは、パッケージ内部の異物や、ワイヤボンディングの変形などを観察します。また、電子部品では、はんだ実装のボイドや、クラックの検査に用いられます。

• 異物混入の内部観察
• スルーホールやパターン断線等のオープン不良解析
• ショート不良解析
• はんだボイドの観察
• ワイヤーボンディングの観察
• 構造解析

3. 電気的静特性測定

IC静特性検査では、カーブトレーサを使用しますカーブトレーサはダイオードやトランジスタ、光電子部品などの各種半導体素子の電流-電圧(I-V)特性を測定するための装置です。良品解析では、データシートを基に仕様通りの特性を有しているかを検査することを目的とし、故障解析では、良品との波形比較を行い、異常箇所を特定することを目的としています。

• ダイオードの順方向電圧、逆方向リーク電流、逆方向ブレークダウン電圧
• ダイオードやトランジスタ、MOSFETの特性評価
• ダイオードやトランジスタ、及びIC/LSIの故障解析

4. 超音波顕微鏡観察

高周波帯域の超音波を利用し、対象サンプルの内部及び外部の観察を行います。超音波は音響インピーダンスの異なる物質の境界面で透過・反射する性質を持ち、検出された波形を解析することで部品内部の状態を非破壊にて調査可能です。特に「空気に対する反射感度が高い」ことから、ICなどの半導体デバイスにおけるパッケージ剥離検査や物質同士の接合状態の検査などに使用します。

• IC内部剥離検査
• IC内部剥離検査と断面観察
• アンダフィルボイド観察、チップ接合部、表面観察

5. 断面観察

破壊検査で、各部の断面サンプルを作製し、光学、あるいは、SEMを用いて下記に示す各部の項目を観察します。

• 端子異常(キズ、めっきムラ、空隙など)
• パッケージ異常ダイボンディングの状態(ダイペースト形状など)
• ダイボンディングの状態(ダイペースト形状など)
• ワイヤボンディングの状態(金属間化合物の生成状態など)

6. IC開封

半導体デバイスのパッケージ樹脂を薬品などによって溶解し、内部の半導体チップを露出させます。薬液条件の改善とともに、レーザ開封設備も併用することで薬品の浸漬時間を短縮し、ワイヤへのダメージ低減ができる開封を実現しています。また、レーザ開封設備に関しては薬液ダメージ低減だけでなく、高い加工位置精度を有しておりますので、微小ICの高精度加工も可能となっています。ワイヤダメージが少ない、あるいは、ほぼ無い状態で開封することができますので、故障解析における故障個所の観察や良品解析におけるワイヤの接合試験の評価を行うことができます。

7. ワイヤボンディング評価

ICの開封後、チップ内の配線状態を観察すると共に、ボンディングワイヤの接合状況を評価します。MIL-STD-883G method 2011に準拠して実施しております。